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蚀刻铜(钛)Etch Cu(Ti)
蚀刻铜(钛)Etch Cu(Ti)
设备名称/型号:水平式铜(钛)蚀刻设备
工艺简介:光刻胶覆盖有效线路,通过腐蚀液将sputter金属Cu种子层蚀刻掉,留下需要的线路
工艺流程:喷涂光刻胶—曝光—显影—蚀刻-水洗-吹干
主要工艺参数:酸性蚀刻液25-40℃喷淋蚀刻铜,时间1-3min/pcs,蚀刻后需充分水洗,水洗压力:0.8-1.5kg/cm2,时间2-4min/pcs,
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